国星光电推出KS系列SiC MOSFET产品，拓展光电器件技术新边界

国内领先的光电器件制造商国星光电正式发布了其全新的KS系列碳化硅（SiC）MOSFET产品。这一举措标志着公司在深耕传统LED封装与光电器件领域的积极向第三代半导体功率器件这一战略新兴领域拓展，展现了其强大的技术研发实力与前瞻性的产业布局。

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，因其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优异特性，被公认为是制造高压、高频、高温、高功率密度功率器件的理想材料。相较于传统的硅基（Si）器件，SiC MOSFET在新能源电动汽车、光伏逆变、工业电源、轨道交通及智能电网等领域具有显著的应用优势，能够有效提升系统效率、降低能耗、减小设备体积与重量。

国星光电此次推出的KS系列SiC MOSFET产品，是其依托自身在半导体材料与器件领域长期积累的技术基础，针对市场需求精心打造的成果。据悉，该系列产品具有多项核心优势：

1. 卓越的电性能：具备低导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷（Qg）和优异的开关特性，有助于降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。
2. 高可靠性：产品设计充分考虑了高温、高湿等严苛工作环境，确保了长期稳定运行的可靠性，满足工业级和车规级的应用要求。
3. 良好的热管理：优化的封装设计与SiC材料本身的高热导率相结合，使器件散热性能优异，有助于提高功率密度和延长使用寿命。

作为一家以光电器件起家并持续引领行业发展的企业，国星光电进军SiC功率器件领域并非偶然。公司近年来持续加大研发投入，构建了从材料、芯片到封装测试的完整技术链条。KS系列SiC MOSFET的推出，不仅是其技术平台的自然延伸，更是对“光电器件”内涵的深化与拓宽。它将光电领域的精密制造、封装技术与功率半导体的设计能力相结合，为国星光电打开了在新能源汽车电驱系统、车载充电机（OBC）、直流快充桩、服务器电源等高增长市场的全新赛道。

当前，全球范围内对高效节能技术的需求日益迫切，SiC产业链正处于快速成长期，市场空间广阔。国星光电此时入局，有望凭借其品牌影响力、客户基础与制造能力，在国产SiC器件市场中占据有利位置。KS系列产品的发布，不仅丰富了国星光电自身的产品矩阵，增强了综合竞争力，也为下游客户提供了高性能、高可靠性的国产化功率器件解决方案，对推动我国第三代半导体产业的自主可控与升级发展具有积极意义。

随着KS系列产品的量产与市场导入，国星光电有望在保持传统光电器件市场领先地位的在SiC功率半导体这一新蓝海中建立起新的增长极。公司表示，将持续投入资源进行产品迭代与系列化开发，以满足不同应用场景的细分需求，携手产业链伙伴共同推动绿色能源与高效电力电子技术的进步。